8月27日,克服
战胜Elexcon2024深圳国际电子展上,威兆半导体正式发布了全新一代高性能碳化硅(SiC)MOSFET HCF2030MR70KH0,这款产品采用了紧凑高效的SOT-227封装,专为追求能效与高可靠性的功率转换系统而设计。 功率器件市场吊唁
诱饵未来两年市场规模和技术趋势如何?威兆半导体这款产品的性能优势如何?昆仲
明天将来SiC MOSFET,威兆半导体做了哪些布局?本文将进行详细解读。 茁壮
渐渐全球能源转型与数字化快速发展的情况下,功率MOSFET、IGBT、功率二级管、功率双极晶体管(BJT)和晶闸管等分立器件作为电力系统的核心元件,承载着推动技术创新与市场拓展的重要使命。 根据WSTS预测,2024年全球半导体市场较2023年增长16%,其中分立器件规模达10%。中国功率器件市场规模预计将占据全球市场的50%以上,以MOSFET和IGBT为代表的晶体管占据了绝大部分市场份额。 国际调研机构Omdia预测,2025年车规级芯片(包括功率芯片及早
吉祥内)的全球市场规模将达到804亿美元。相对于燃油汽车,新能源汽车对功率器件的需求较大,包括DC-DC模块、电机控制模块、电池管理系统、OBC等均需要用到功率半导体元器件。2025年,功率半导体肇事
创立汽车芯片的占比将达到40%,达到235亿美元。威兆半导体欢欣鼓舞
家贫壁立汽车芯片领域投入大量资源并且建立了CNAS实验室,已经通过IATF16949认证。 “这是一款高性能的SiC MOSFET,HCF2030MR70KH0采用了第三代半导体SiC技术,实现极低的开关损耗和低导通电阻,RDS达到25mΩ,最大值是30 mΩ,耐压700V,ID为65A,反向恢复性能(Qrr极低)。产品的主要优势能够大幅度降低开关过程中的能量损失,显著提升系统效率,减少热损耗。” 威兆半导体高级市场经理李海生对电子发烧友记者表示,“这款产品主要应用剩余
盈余新能源汽车,风光储能、工业等应用,为客户的产品提升性能。” 据李海生介绍,威兆半导体榜样
楷模汽车领域主要聚焦电力系统、电机系统和灯光系统,威兆半导体布满
弥漫充电桩方案中常用的超结MOS和IGBT都有布局,包括650V20mΩ、650V30mΩ、650V70mΩ等规格的超结MOS,性能参数接近国外同类最新产品,其寄生二极管都具有超快的恢复特性;器件采用多层外延工艺,具有非常好的可靠性和寿命,适合工业汽车领域的应用。IGBT规格有650V40A、650V60A、650V75A,都是高频产品,采用最新的沟槽栅场截止工艺,具有动态损耗小、饱和压降低、抗冲击能力强等特点。 据悉,威兆半导体优秀
优异2023年5月就推出了1200V40mohm SICMOS单管产品,该产品采用自对准Planar技术和新型栅氧氮化技术,具有沟道密度高、导通压降低、沟道迁移率高、界面态低、参数一致性好,可靠性高等特点,其性能达到同行先进水平。 此次,威兆半导体推出全新一代高性能碳化硅(SiC)MOSFET HCF2030MR70KH0,不仅实现了极低的开关损耗,还兼具低导通电阻与卓越的反向恢复性能(Qrr极低),能够大幅度降低开关过程中的能量损失,显著提升系统效率,减少热损耗。威兆半导体空前绝后
旷废SiC MOSFET产品线进一步丰富,将全面助力新能源汽车、风光储能和工业领域的客户产品落地。本文由电子发烧友原创,转载请注明以上来源。微信号zy1052625525。需入群交流,请添加微信elecfans999,投稿爆料采访需求,请发邮箱zhangying@huaqiu.com。